微波探测的光感应电流瞬态图谱检测，非接触且无损伤，用于温度依赖的少数载流子寿命测量以及半导体的界面陷阱和体陷阱能级的电性能表征。MDpicts将在半导体材料的基础研究与开发领域取得普遍的应用。

设备特点：

灵敏度：对半导体材料电学缺陷有很高的灵敏度

温度范围：液氮（77k）至500k。可选：液氦（4k）或更高温度

衰减常数范围：20纳秒到几毫秒

沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激发性能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等

重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2升/次

灵活性：从365 nm 到1480nm，根据不同材料选择不同波长激发光源

可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持

图1.与温度有关的载流子发射瞬态

图2.不同缺陷的评价

从Arrhenius斜率（图3）可以确定活化能

图3.阿伦尼乌斯曲线图

利用这种新型MDPpicts设备，可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。

Si， GaAs， InP， SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究。

图4.不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱